반도체분야

전력 · AI · 에너지 · 우주항공 · 국방용 반도체 등 다양한 산업에 적용되는 반도체의 신뢰성 평가서비스를 제공하고 연구 및 개발을 지원하고 있습니다.
디스플레이 소재 · 패널 · 부품 · 시스템까지 고온·저온, 습도, 진동, 충격, 광·전기 스트레스 등 실제 산업과 시장 환경을 반영한 가혹 조건 시험을 통해 제품의 한계와 가능성을 명확히 검증하여 첨단산업을 뒷받침하고 있습니다.

업무개요

반도체 신뢰성 시험(SiC / GaN)

EV, 신재생에너지, ESS, 산업전력변환기기 등에서 사용되는 SiC·GaN 전력반도체와 우주국방 및 통신용 GaN 전력증폭소자의 스위칭 특성, 전기적 안전성, 열적·환경적 신뢰성을 평가
패키지·모듈 단에서 전극·기생성분·패키지 구조의 영향 분석 및 내성시험 수행

대상제품

전력반도체(SiC / GaN)

SiC MOSFET, GaN HEMT(Enhancement / Depletion Mode), GaN Power IC
전력변환기(DC-DC, OBC, 인버터)용 모듈 및 패키지
HVDC/PV/ESS/EV 구동용 전력 스위칭 소자

RF 전력증폭소자(GaN PA)

레이더용 GaN HEMT, GaN MMIC PA
군·우주용 고신뢰성 RF 파워 디바이스
기지국·5G·위성통신용 고출력/고효율 RF PA

시험 항목 및 관련표준

전력반도체 신뢰성 시험(내성·내환경)주요 시험항목

High Temperature Gate Bias (HTGB)
High Temperature Reverse Bias (HTRB)
Drain-Source Stress Test (DSG,)
Temperature Cycling / Power Cycling
Dynamic Rds(on) 측정(GaN HEMT)